CIT-3000G 手(shou)持(chi)式(shi)伽(jia)瑪能(neng)譜(pu)儀(yi)

CIT-3000G 手(shou)持(chi)式(shi)伽(jia)瑪能(neng)譜(pu)儀(yi) 

CIT-3000G 手(shou)持(chi)式(shi)伽(jia)瑪能(neng)譜(pu)儀(yi)簡介(jie)

CIT-3000G 手持(chi)式(shi)伽(jia)瑪能(neng)譜(pu)儀(yi)是(shi)根據X射(she)線發(fa)生(sheng)器(qi)放出(chu)的(de)X射(she)線與(yu)樣品中元素(su)的(de)原(yuan)子相(xiang)互作(zuo)用(yong)，逐(zhu)出(chu)原子內層電子。當(dang)外(wai)層(ceng)電(dian)子補(bu)充內層電子時(shi)，會放(fang)射(she)該原子所(suo)固(gu)有能(neng)量(liang)的(de)X射(she)線－特征X射(she)線。根據受激後(hou)退(tui)激過(guo)程(cheng)中所(suo)放出(chu)的(de)特征X射(she)線能(neng)量(liang)各不(bu)相(xiang)同(tong)，進(jin)行(xing)定(ding)性分(fen)析；根據特征X射(she)線強(qiang)度大小，可進行(xing)定(ding)量分(fen)析。

CIT-3000G 手(shou)持(chi)式(shi)伽(jia)瑪能(neng)譜(pu)儀(yi)儀(yi)器(qi)特點 

探(tan)測器(qi)采(cai)用(yong)美(mei)國航(hang)天(tian)技(ji)術(shu)的(de)半導體探(tan)測(ce)器(qi)，能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)優(you)於(yu)149ev  

真(zhen)空(kong)測量，zui大限(xian)度(du)的(de)提高測(ce)量元(yuan)素的(de)檢(jian)測限(xian)  

自(zi)動調(tiao)整(zheng)光(guang)管功(gong)率(lv)，對(dui)激(ji)發輕元(yuan)素(su)和中重元(yuan)素(su)都(dou)有良(liang)好的(de)激(ji)發效果(guo) 

圓(yuan)形品(pin)倉設計(ji)，適應(ying)於(yu)各(ge)種樣品的(de)檢(jian)測，測(ce)量(liang)固(gu)體、液體、粉(fen)末(mo) 

開(kai)放式(shi)工(gong)作(zuo)曲(qu)線標定(ding)平臺(tai),可量身定(ding)做的(de)元(yuan)素檢(jian)測(ce)和控(kong)制方(fang)案(an) 

采(cai)用(yong)的(de)XRF分(fen)析軟(ruan)件，融(rong)合了包括(kuo)經驗系(xi)數法(fa)、基(ji)本(ben)參數法(fa)（FP法(fa)）、理(li)論(lun)α系(xi)數法(fa)等多(duo)種經典分(fen)析方(fang)法(fa)，全(quan)面(mian)保(bao)證測試(shi)數據(ju)的(de)準確性

采(cai)用(yong)模(mo)式識(shi)別(bie)及數據(ju)庫(ku)技術(shu)，實現(xian)儀(yi)器(qi)分(fen)析智(zhi)能(neng)化 

配置濾光(guang)片(pian)裝(zhuang)置大幅提高峰(feng)背比  

可根據用戶(hu)要求(qiu)自行(xing)定(ding)制測(ce)試(shi)報(bao)告輸(shu)出(chu)格式（Excel、PDF等），符合工(gong)廠多(duo)種統計(ji)及格式要求(qiu)  

壹(yi)體化設計(ji)，性能(neng)穩(wen)定(ding)，運行(xing)可靠(kao)，性價比高

溫(wen)度系(xi)數≤0.0004/℃工(gong)作(zuo)環境溫(wen)度-15℃～30℃

儀(yi)器(qi)分(fen)析精度：標準偏差≤0.1%（按(an)連續12次(ci)分(fen)析同(tong)壹(yi)樣品所(suo)得數據(ju)進(jin)行(xing)統計(ji)）

本(ben)儀(yi)器(qi)對(dui)各(ge)有色(se)黑色(se)金屬(shu)礦(kuang)石(shi)、燒(shao)結(jie)礦、球(qiu)團(tuan)、爐(lu)渣(zha)、各種非(fei)金(jin)屬(shu)礦(kuang)、水(shui)泥(ni)生(sheng)料(liao)、熟(shu)料、合金(jin)等對(dui)象(xiang)主(zhu)要元(yuan)素含(han)量的(de)重(zhong)復(fu)測(ce)量精度均達(da)到國家標準要求(qiu)

樣品制樣要求(qiu)：提供15克左(zuo)右(you)、粒(li)度150目(mu)以上(shang)樣品

分(fen)析速(su)度快(kuai)，在2-5分(fen)鐘內即(ji)可分(fen)析全(quan)部(bu)待(dai)測(ce)元(yuan)素(su)的(de)含(han)量

適用(yong)於(yu)電(dian)子產品、工(gong)具(ju)、玩具(ju)等RoHS/WEEE有害(hai)元素(su)（Pb、Hg、Br、Cd、Cr）檢測

雙重射(she)線保(bao)護（軟(ruan)件、硬件），確(que)保(bao)操(cao)作(zuo)人(ren)員輻(fu)射(she)安(an)全(quan)，獲(huo)四川(chuan)安(an)全(quan)豁(huo)免管理(li)

CIT-3000G 手(shou)持(chi)式(shi)伽(jia)瑪能(neng)譜(pu)儀(yi)技(ji)術(shu)指(zhi)標 

分(fen)析元(yuan)素範(fan)圍(wei)：Na-U  

元(yuan)素含(han)量分(fen)析範(fan)圍(wei)：1ppm -99.9%

探(tan) 測 器(qi)：采(cai)用(yong)美(mei)國進口的(de)Si (PIN)半導體探(tan)測(ce)器(qi)計(ji)數

能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)：優(you)於(yu)140eV  

測(ce)量範(fan)圍(wei)：1－30KeV  

正(zheng) 高 壓：5kV-50kV

管流(liu)：1μA-500μA 

真(zhen)空(kong)泵額定(ding)功(gong)率(lv)：550W 

儀(yi)器(qi)額定(ding)功(gong)率(lv)：50W  

整(zheng)機能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)：145eV 

檢(jian)測時(shi)間：120S～600S（時(shi)間隨(sui)樣品而調(tiao)整(zheng)）  

氣(qi)壓：10秒鐘真(zhen)空(kong)度可達(da)10-2Pa ，高真(zhen)空(kong)區域10-1-10-5Pa 

儀(yi)器(qi)重量(liang)：40Kg