RAM-II型(xing)  Хγ輻射(she)劑(ji)量(liang)率儀(yi)

RAM-II型  Хγ輻射(she)劑(ji)量(liang)率儀(yi)儀(yi)器簡介(jie)：

RAM-II型儀(yi)是壹種新型(xing)的(de)便(bian)攜(xie)式、智(zhi)能化輻射(she)劑(ji)量(liang)率儀(yi)，它采(cai)用特殊(shu)設計的(de)高(gao)靈(ling)敏度(du)半導體探測(ce)（高(gao)汙(wu)染(ran)環(huan)境(jing)）或防護級（蓋格(ge)管(guan)）裝(zhuang)置，具有靈(ling)敏度(du)高(gao)、操作(zuo)方便、自動顯(xian)示(shi)、數(shu)據(ju)存(cun)儲高(gao)閾(yu)歷史值(zhi)等特(te)點(dian)，能實時(shi)給(gei)出(chu)測(ce)量(liang)結(jie)果（μGy/h與μSv/h轉(zhuan)換顯(xian)示(shi)），同時(shi)給(gei)出(chu)個人(ren)所受(shou)的(de)累(lei)計劑(ji)量(liang)（μSv）。快(kuai)檔定(ding)時約(yue)1秒(miao)，慢(man)檔定(ding)時約(yue)3-5秒(miao)，可根據選(xuan)擇的(de)探(tan)頭來設置。                            儀(yi)器特點(dian) ：

探頭(tou)與主機(ji)用60cm電(dian)纜(lan)連(lian)接(jie)，便(bian)於測(ce)量(liang)和操作(zuo)，探頭與主機(ji)分(fen)開便於探頭(tou)汙染(ran)後去汙。                

響應(ying)快(kuai)速準確，閾(yu)值(zhi)可調(tiao)。 

響應(ying)時(shi)間可設置。 

攜(xie)帶方(fang)便，操作(zuo)簡單。 

技(ji)術指(zhi)標：

 Sodium iodide閃(shan)爍體或半導體或大(da)蓋格(ge)管(guan)（環(huan)境(jing)級、高(gao)汙(wu)染(ran)水(shui)平、防護級）。

能量(liang)響(xiang)應(ying)：25KeV～3MeV，變化的(de)限(xian)值(zhi)為±15%

宇宙(zhou)射線(xian)響(xiang)應(ying)：變化的(de)限(xian)值(zhi)為±15%，劑(ji)量(liang)率指(zhi)示的(de)固(gu)有誤差(cha)：不大(da)於10%

角(jiao)響應(ying)：不(bu)超過15%（137Cs，固有誤差(cha)不超(chao)過10%。

測(ce)量(liang)時(shi)間間隔：1--60S可設置。

靈敏度(du)：1.1×10-2 cps

測(ce)量(liang)範圍(wei)：

 Sodium iodide閃(shan)爍體或GM管(guan)0.01μGy/h—900mGy/h,  0.01μSv/h—900mSv/h,

半導體探測(ce)器0.1μGy/h—10Gy/h,  0.01μSv/h—10Sv/h,  0-99mSv

測(ce)量(liang)單(dan)位：μGy/h，μSv/h,  Sv通(tong)過TAPE模式可轉(zhuan)換

超閾(yu)值(zhi)可自行設置：0.25μGy/h ---10Gy/h

在正常(chang)工作條(tiao)件下，連續(xu)工作8小(xiao)時，示(shi)值(zhi)變化的(de)限(xian)值(zhi)為±5%

環境(jing)溫度(du)：-5-45度(du)；濕(shi)度(du)：5-95％

電(dian)源(yuan)：DC6V蓄電(dian)池，充電(dian)壹次可連續(xu)工作24小(xiao)時以(yi)上(shang)

外型(xing)尺寸(cun)：探(tan)頭(tou)φ45mm×300mm，操作(zuo)臺200mm×150mm×75mm

重量(liang)：2.3Kg.