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更新(xin)時(shi)間(jian):2025-03-04
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廠(chang)商性(xing)質(zhi):生(sheng)產(chan)廠(chang)家(jia)
生(sheng)產(chan)地址(zhi):
| 產(chan)地 | 國(guo)產(chan) | 加(jia)工(gong)定制 | 否 |
|---|
RAM-II 環境(jing)級Хγ輻(fu)射(she)劑(ji)量(liang)率儀(yi)儀(yi)器(qi)簡介(jie)
RAM-II型(xing)儀(yi)是壹(yi)種(zhong)新型(xing)的(de)便(bian)攜式(shi)、智(zhi)能(neng)化環境(jing)級輻(fu)射(she)劑(ji)量(liang)率儀(yi),它(ta)采(cai)用特殊(shu)設計(ji)的高靈(ling)敏度Sodium iodide閃(shan)爍體(ti)(環境(jing)級)或(huo)半導體(ti)探測(高汙(wu)染環境(jing))裝置,具(ju)有靈(ling)敏度高、操作方便(bian)、自(zi)動顯(xian)示、數(shu)據(ju)存(cun)儲高閾(yu)歷(li)史(shi)值等(deng)特點,能實時(shi)給出測量(liang)結(jie)果(μGy/h與(yu)μSv/h轉(zhuan)換(huan)顯(xian)示),同(tong)時(shi)給出個人所受的累(lei)計(ji)劑(ji)量(liang)(μSv)。快檔定時(shi)約(yue)1秒,慢檔定時(shi)約(yue)3-5秒,可根據選擇的(de)探頭來(lai)設(she)置。
主要(yao)特點 :
·探頭與(yu)主機(ji)用(yong)60cm電(dian)纜(lan)連(lian)接(jie),便(bian)於測量(liang)和(he)操作,探頭與(yu)主機(ji)分開便(bian)於探頭汙染後去(qu)汙(wu)。
·響應快速準(zhun)確(que),閾(yu)值可調。
·響應時(shi)間(jian)可設置。
·攜帶方便(bian),操作簡(jian)單(dan)。
技術(shu)指(zhi)標:
Sodium iodide閃(shan)爍體(ti)探頭或(huo)半導體(ti)探頭(環境(jing)級、高汙(wu)染水平)。
能量(liang)響應:25KeV~3MeV,變化的限(xian)值為(wei)±15%
宇(yu)宙(zhou)射(she)線(xian)響應:變化的限(xian)值為(wei)±15%,劑(ji)量(liang)率指(zhi)示的(de)固(gu)有(you)誤差(cha):不(bu)大(da)於10%
角(jiao)響應:不(bu)超過(guo)15%(137Cs,固(gu)有(you)誤差(cha)不(bu)超過(guo)10%。
測量(liang)時(shi)間(jian)間(jian)隔(ge):1--60S可設置。
靈(ling)敏度:1.1×10-2 cps
測量(liang)範(fan)圍:
Sodium iodide閃(shan)爍體(ti)或(huo)GM管(guan)0.01μGy/h—900mGy/h, 0.01μSv/h—900mSv/h,
半導體(ti)探測器(qi)0.1μGy/h—10Gy/h, 0.01μSv/h—10Sv/h, 0-99mSv
測量(liang)單(dan)位:μGy/h,μSv/h, Sv通(tong)過TAPE模(mo)式(shi)可轉(zhuan)換(huan)
超閾(yu)值可自行設(she)置:0.25μGy/h ---10Gy/h
在(zai)正常工(gong)作(zuo)條(tiao)件(jian)下,連(lian)續工(gong)作(zuo)8小時(shi),示值變化的限(xian)值為(wei)±5%
環境(jing)溫度(du):-5-45度;濕度:5-95%
電(dian)源:DC6V蓄電(dian)池(chi),充電(dian)壹(yi)次(ci)可連(lian)續工(gong)作(zuo)24小時(shi)以(yi)上(shang)
外型(xing)尺(chi)寸(cun):探頭φ45mm×300mm,操作臺200mm×160mm×115mm
重量(liang):2.3Kg.
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