RAM-100型(xing)α、β表面汙(wu)染(ran)檢測(ce)儀

RAM-100型α、β表面汙(wu)染(ran)檢測(ce)儀    

RAM-100型(xing)α、β表面汙(wu)染(ran)檢測(ce)儀儀器(qi)簡介(jie)：

RAM-100型便攜式(shi)表面汙(wu)染(ran)檢測(ce)儀是根據核快(kuai)速(su)應急反(fan)應監(jian)測(ce)技(ji)術要(yao)求，專門為核醫(yi)學、分子生(sheng)物(wu)實(shi)驗(yan)室(shi)、核(he)材料運輸及(ji)其(qi)它(ta)存(cun)在αβ表面沾汙(wu)和X，γ輻(fu)射的方(fang)面(mian)而設計，是壹種高靈(ling)敏(min)度(du)智(zhi)能(neng)化(hua)便攜式(shi)儀器(qi)。它兼(jian)具表面沾汙(wu)監測(ce)儀和X，γ劑量率(lv)儀兩(liang)種儀器(qi)的功(gong)能(neng)，既可(ke)用(yong)來測(ce)量αβ引(yin)起的表面沾汙(wu)，又可(ke)用來測量Xγ輻(fu)射劑量率(lv)。

技術指標：

1．測量範圍：α：0~104cps；β：0~104cps；

X ，γ：0~100μGy•h-1

2．溫(wen)度：操作(zuo) -10℃～+50℃；貯(zhu)存(cun) -20℃～+60℃；

3、能(neng)量(liang)響(xiang)應：25KeV～3MeV，變化的(de)限(xian)值為15%；

4、γ劑量率(lv)指(zhi)示(shi)的固有(you)誤(wu)差(cha)：不(bu)大(da)於10%；角響(xiang)應：（137Cs）不超過15%。

5、濕(shi)度範圍：40%～95%RH（不(bu)析(xi)出(chu)水(shui)分）；

6、測量單位：cpm/CPS、uSv/h，μGy•h-1

7、探測效(xiao)率(lv)（對(dui)90Sr+90Y(β)）：54％，

表面靈(ling)敏(min)度(du)（對(dui)90Sr+90Y(β)）：500；

8、扁(bian)平(ping)探頭有(you)效(xiao)直(zhi)徑(jing)：φ44.45mm；

9、靈(ling)敏(min)度(du)（137Cs）：342cpm/（mSv/h）；

10、本底讀(du)數(shu)： 50cpm；

11、測量誤差：10%；

12、電源(yuan)：內置(zhi)可充(chong)電(dian)的7.4V鋰電池(chi)壹組(zu)；

13、尺(chi)寸(cun)與重量：監測儀部(bu)分145×94×18mm；探測器部分260×70.mm ，950g；

主要(yao)應用：

工(gong)作(zuo)場所、實(shi)驗(yan)室(shi)、醫(yi)院、同(tong)位素(su)生(sheng)產(chan)廠(chang)房、工(gong)作(zuo)臺(tai)面等αβ放(fang)射性(xing)汙(wu)染(ran)與γ輻(fu)射場所輻(fu)射劑量率(lv)檢(jian)測。