HD-175型科研用放(fang)射性(xing)活(huo)度(du)計(ji)

HD-175型科研用放(fang)射性(xing)活(huo)度(du)計(ji)

1、儀器(qi)簡(jian)介

放(fang)射性(xing)活(huo)度(du)計(ji)（Radioactivity meter）是(shi)測(ce)量放(fang)射性(xing)衰(shuai)變(bian)率的儀器(qi)。放(fang)射性(xing)衰(shuai)變(bian)率曾經(jing)稱(cheng)為(wei)放(fang)射性(xing)和(he)放(fang)射性(xing)強度(du)，1962年輻(fu)射學單(dan)位(wei)委員會(hui)建(jian)議(yi)使用放(fang)射性(xing)活(huo)度(du)。1975年計(ji)量(liang)大(da)會(hui)規定活(huo)度(du)的標(biao)準單(dan)位(wei)為(wei)“貝可”（Bq），每(mei)秒衰(shuai)變(bian)1次等於(yu)1貝可。“居裏”（Ci）仍為(wei)暫(zan)時(shi)並(bing)用單(dan)位。1Ci=3.7×1010Bq。

活(huo)度(du)計(ji)廣泛用於(yu)醫院(yuan)、放(fang)射性(xing)藥廠(chang)、核電站(zhan)、放(fang)射源(yuan)生產(chan)企業、科研部(bu)門(men)和(he)放(fang)射性(xing)計量(liang)檢測部(bu)門(men)。尤(you)其(qi)是醫藥(yao)部(bu)門(men)，隨(sui)著核(he)醫學的發(fa)展，同位素(su)診(zhen)斷(duan)和(he)治(zhi)療新(xin)藥不斷(duan)湧現(xian)，新(xin)同位(wei)素(su)應用不斷(duan)增加(jia)。備(bei)有(you)壹(yi)臺(tai)性(xing)能優良並(bing)能測量(liang)各(ge)種核素(su)的活(huo)度(du)計(ji)，對醫院(yuan)的發(fa)展是十(shi)分(fen)必要的，對用藥(yao)前的活(huo)度(du)檢(jian)測(ce)和(he)質(zhi)量(liang)監(jian)控(kong)也(ye)是*的。HD-175型活(huo)度(du)計(ji)就是為(wei)此而(er)設(she)計。

標(biao)準的活(huo)度(du)計(ji)基(ji)本(ben)部(bu)件(jian)是(shi)4πγ高(gao)氣(qi)壓電離室(shi)。放(fang)射源(yuan)放(fang)入井(jing)中，γ射線(xian)向(xiang)四面八(ba)方發(fa)射，井(jing)壁作(zuo)為接(jie)收窗，立(li)體(ti)角接(jie)近(jin)4π，所以探(tan)測(ce)效(xiao)率(lv)很高，探測(ce)效(xiao)率(lv)還(hai)決(jue)定於(yu)井壁的吸(xi)收。不銹鋼井壁對低(di)能輻(fu)射有(you)強(qiang)烈(lie)的吸(xi)收作(zuo)用，能量愈低(di)吸(xi)收愈強烈(lie)。例(li)如125I的主要能量是(shi)27.5KeV，不銹鋼井壁就難於(yu)測量(liang)，鋁(lv)井(jing)壁則(ze)。上(shang)*鋁(lv)材(cai)是(shi)制作(zuo)井壁的*材(cai)料(liao)。HD-175型活(huo)度(du)計(ji)就是采用鋁(lv)井(jing)壁，能很好的測量125I等低(di)能核素(su)。

HD-175型活(huo)度(du)計(ji)的另(ling)壹特(te)點是(shi)：測(ce)量(liang)核素(su)多，穩(wen)定(ding)性(xing)好。尤其(qi)對低(di)活(huo)度(du)測(ce)量(liang)有(you)很(hen)大(da)優(you)勢(shi)，對＜10µCi的核素(su)，目前(qian)國(guo)內(nei)外(wai)很多類(lei)型的活(huo)度(du)計(ji)均(jun)不能給(gei)出穩(wen)定 的測量值(zhi)，HD-175可做(zuo)到誤差≤5%。

2、HD-175型活(huo)度(du)計(ji)技(ji)術(shu)指(zhi)標(biao)

測量(liang)核(he)素(su)：190個；

相(xiang)對基本誤差：±2.2%；

穩定性(xing)：±0.12%；

分(fen)辨(bian)率：1KBq（0.03μCi）；

重復性(xing)：±0.12%；

量程(cheng)：3.7KBq—370GBq；

低(di)能探測(ce)限：13KeV；

測量時(shi)間(jian)：1-13s，可連續測量(liang)。

3、高壓電離室(shi)結(jie)構(gou)特(te)點

電離室(shi)坪斜：0.008%；

噪聲(sheng)電流：±2×10-14A；

噪聲(sheng)本(ben)底(di)（60Co）：1KBq。

4、單(dan)片機(ji)配(pei)置(zhi)及主(zhu)要功(gong)能

單片機(ji)、液晶(jing)屏(ping)、12位A/D；

232口(kou)與(yu)Pc機(ji)通(tong)訊(xun)、寬行(xing)高(gao)速微(wei)打(da)；

核(he)素(su)活(huo)度(du)、遞衰(shuai)活(huo)度(du)及(ji)半衰(shuai)期(qi)測量(liang)；

監(jian)督(du)源校正、時間(jian)換(huan)算(suan)和(he)參數(shu)查詢；

自(zi)動(dong)換(huan)檔和(he)扣除本(ben)底。

5、Pc機(ji)配(pei)置(zhi)及主(zhu)要功(gong)能

Pc機、12位(wei)A/D；

核(he)素(su)活(huo)度(du)和(he)遞衰(shuai)活(huo)度(du)測(ce)量(liang)；

監(jian)督(du)源校正、時間(jian)換(huan)算(suan)和(he)參數(shu)查詢；

半衰(shuai)期(qi)測量(liang)和(he)誤(wu)差計算(suan)；

zui小二(er)乘法(fa)計(ji)算(suan)斜率(lv)、截距(ju)和(he)標(biao)準偏差。