CIT-3800Q型高(gao)純鍺(zhe)γ能譜儀(yi)

CIT-3800Q型高(gao)純鍺(zhe)γ能譜儀(yi)

CIT-3800Q型高(gao)純鍺(zhe)γ能譜儀(yi)

1、產(chan)品(pin)介(jie)紹

CIT-3800Q型(xing)高(gao)純(chun)鍺(zhe)γ能譜儀(yi)常(chang)用(yong)於(yu)樣(yang)品放射(she)性核(he)素含量(liang)測量(liang)的(de)γ能(neng)譜儀(yi)按(an)探測器(qi)可(ke)分(fen)為兩類：壹類是(shi)高純(chun)鍺(zhe)（HPGey） 譜儀(yi)，壹類是(shi)（Nal）γ譜儀(yi)。高純(chun)鍺(zhe)（HPGey）γ譜儀(yi)能量(liang)分(fen)辨率(lv)高(gao)、線(xian)性好。相(xiang)比(bi)之(zhi)下(xia)，（Nal） γ譜儀(yi)探測效(xiao)率(lv)高(gao)，但(dan)能(neng)量(liang)分(fen)辨率(lv)較(jiao)差，難於(yu)勝任分(fen)析(xi)核(he)素較多(duo)、譜線(xian)較復雜(za)的樣(yang)品。

CIT-3800Q型(xing)高(gao)純(chun)鍺(zhe)γ能譜儀(yi)是(shi)壹款(kuan)低本(ben)底γ能(neng)譜儀(yi)，廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)測量(liang)各種類型環境樣品及低活度湖泊沈積物樣(yang)品中的放(fang)射(she)性γ能(neng)譜及核安(an)全(quan)、 食(shi)品(pin)安全(quan)等領域，以(yi)確(que)定放射(she)性種(zhong)類、核素及放射(she)性水平(ping)。該(gai)儀(yi)器(qi)由(you)高(gao)純(chun)鍺(zhe)探測器(qi)、低溫(wen)恒溫(wen)器(qi)、屏蔽室、數(shu)字(zi)化譜儀(yi)、多(duo)功能譜分(fen)析(xi)軟件(jian)等組成(cheng)。

2、適用(yong)標(biao)準

碘-131：14883.9-2016食(shi)品(pin)中放射(she)性物(wu)質碘-131的(de)測定

銫-137:GB 14883.10-2016食(shi)品(pin)安全(quan)國(guo)家標準(zhun) 食(shi)品(pin)中放射(she)性物(wu)質銫-137的(de)測定

碘-131：HJ 841-2017水、牛奶、植物、動物(wu)甲(jia)狀腺(xian)中碘-131的(de)分(fen)析(xi)方(fang)法(fa)

3、性(xing)能(neng)特點

1、適配多(duo)種能(neng)量(liang)範(fan)圍(wei)，多(duo)種探測效(xiao)率(lv)的(de)高純鍺(zhe)探測器(qi)，滿(man)足(zu)不(bu)同(tong)需(xu)求(qiu)，能(neng)量(liang)分(fen)辨率(lv)可(ke)

達(da)國(guo)際水準；

2、可(ke)定制(zhi)超(chao)低本(ben)底鉛室(shi)，內(nei)部采用(yong)符(fu)合(he)屏蔽層(ceng)，50-2000keV範圍(wei)內(nei)的(de)本(ben)底計數(shu)率(lv)2cps；

3、采用(yong)數(shu)控(kong)高(gao)壓單元(yuan)，電(dian)腦(nao)可實(shi)現(xian)高(gao)壓控(kong)制(zhi)；

4、高(gao)活度樣品(pin)分(fen)析(xi)中，提供(gong)死(si)時間校正(zheng)功能；

5、具(ju)有(you)數(shu)字(zi)化穩譜、 自(zi)動(dong)極零、數(shu)字(zi)化門控(kong)基(ji)線(xian)恢復等功能；

6、內(nei)置(zhi)可編輯核素庫，預(yu)制(zhi)庫文(wen)件(jian)包(bao)含(han)核(he)囊大(da)於(yu) 200 種(zhong)；

7、高(gao)分(fen)辨譜、能(neng)譜、原(yuan)始脈沖(chong)、成(cheng)型脈沖(chong)可自(zi)由(you)互(hu)換；

8、全(quan)中文界(jie)面多(duo)功能譜分(fen)析(xi)及獲取(qu)軟件(jian)，具(ju)有無(wu)源(yuan)刻(ke)度、 自(zi)動(dong)刻度、能譜獲(huo)取，

硬件(jian)控(kong)制(zhi)、參數(shu)設(she)定、數(shu)據分(fen)析(xi)、報(bao)告(gao)生成(cheng)等功能，軟件(jian)操(cao)作(zuo)直觀簡單(dan)，使(shi)用(yong)方(fang)便(bian)；

9、探測器(qi)原(yuan)廠表征及原廠無(wu)源(yuan)效(xiao)率(lv)刻(ke)度軟件(jian)；

10、直(zhi)接(jie)測量(liang)或自(zi)動(dong)多(duo)次(ci)測量(liang)；

11、多(duo)道(dao)下(xia)閾可(ke)調，可直(zhi)接調節(jie)輸(shu)入多(duo)道(dao)的脈沖(chong)下(xia)閾；

12、刻(ke)度可以(yi)像用(yong)傳(chuan)統技術產生的刻度壹樣(yang)存儲、重(zhong)新(xin)調出和使(shi)用(yong)；

13、能(neng)對(dui)形(xing)狀不(bu)常(chang)規(gui)、不(bu)規(gui)則(ze)樣品(pin)進(jin)行(xing)效(xiao)率(lv)刻(ke)度。

4、技(ji)術參數(shu)

1）儀(yi)器(qi)供(gong)電(dian)：AC220V+10%，50Hz+0.2Hz

2) 探測器(qi)類型：N/P 型(xing)同(tong)軸(zhou)高純鍺(zhe)（GEM30-76（標(biao)配）、GEM40-76 或其它）；

3) (相(xiang)對(dui))探測效(xiao)率(lv)：10%~175%可(ke)選；

4) 能(neng)量(liang)範(fan)圍(wei)：3keV~10MeV 可(ke)選；

5) FWHM ：≤1.75 keV (60Co，1332keV 24.8μs 數(shu)字(zi)脈寬(kuan),2%死(si)時間)，不(bu)同(tong)探測器(qi)可(ke)達(da)國(guo)際水準；

6) 最高(gao)可測脈沖(chong)率(lv)： ≥150kHz；

7) 數(shu)據通(tong)過(guo)率(lv)：>100Kcps；

8) 峰形(xing)參數(shu)：FW0.1M/FWHM≤2%；

9) 峰康比(bi)： ≥62:1(40%)、 ≥68:1(60%)、 ≥73:1(70%)；

10) 數(shu)字(zi)化多(duo)道(dao)分(fen)析(xi)器(qi)：8K（標(biao)配）、 16k、 32K 可(ke)選（FPGA+MCU 設(she)計）；

11) 高(gao)壓：0~±5000V 可(ke)調；

12) 超(chao)低本(ben)底鉛室(shi)本(ben)底值：52Cps(50keV-2MeV)；

13) 通(tong)訊：采用(yong) TCP/IP 協(xie)議(yi)通(tong)訊，傳(chuan)輸(shu)速率(lv) 1000Mbps；

14) 增(zeng)益(yi)範(fan)圍：計算機程(cheng)控(kong) 0～65535 精(jing)細(xi)級可(ke)調；

15) 數(shu)字(zi)成(cheng)型：梯(ti)形(xing)成(cheng)型、高(gao)斯(si)成(cheng)型、類高斯(si)成(cheng)型可(ke)選；

16) 數(shu)字(zi)基(ji)線(xian)：0-2047 級可(ke)調，基(ji)線(xian)自(zi)動(dong)跟蹤(zong)

17) 積分(fen)非(fei)線(xian)性：≤±0.025%；

18) 微分(fen)非(fei)線(xian)性：≤±1%；

19) 工作(zuo)溫(wen)度：-20-55℃ ；

20) 工作(zuo)濕度：5%~80%(無(wu)冷(leng)凝)；

21) 低溫(wen)恒溫(wen)器(qi)(可(ke)選)：30L 杜(du)瓦(wa)瓶、電致(zhi)冷(leng)液(ye)氮冗(rong)余(yu)系(xi)統、電制(zhi)冷；

22) 主(zhu)機(ji)連(lian)接：機架+標(biao)準(zhun) NIM 機(ji)箱(xiang)；

23) 鉛室(shi)：標(biao)準頂(ding)開門(men)鉛室(shi)