JC-HPGe-100高(gao)純鍺(zhe)γ能譜(pu)儀(yi)

JC-HPGe-100高(gao)純鍺(zhe)γ能譜(pu)儀(yi)

產品(pin)簡(jian)介(jie)

JC-HPGe-100高(gao)純鍺(zhe)γ能譜(pu)儀(yi)是應(ying)用在(zai)粒子物(wu)理、天體物(wu)理及(ji)核物(wu)理等(deng)領域(yu)的重要設備，在(zai)微量(liang)核素分析(xi)，材料科學(xue)等(deng)方(fang)面也起(qi)著(zhe)極為(wei)重要的作(zuo)用。隨著(zhe)核電(dian)及(ji)輻射環保(bao)事業(ye)的發展，高純鍺(zhe)探測器也服務(wu)於(yu)核電(dian)安(an)全(quan)，輻(fu)射環境監(jian)測(ce)等領域(yu)。其具(ju)有(you)探測(ce)效(xiao)率高，穩定(ding)性(xing)好(hao)，分辨率(lv)佳的特(te)點，在(zai)各領域(yu)發揮著(zhe)不可替(ti)代的作(zuo)用。

JC-HPGe-100是壹(yi)款(kuan)實驗(yan)室高(gao)純鍺(zhe)γ能譜(pu)儀(yi)，儀(yi)器(qi)操(cao)作(zuo)簡(jian)單、使用(yong)方(fang)便，智(zhi)能化程序高。能譜(pu)數據自動測量(liang)，自動保存(cun)，可應(ying)用於(yu)建材、土(tu)壤(rang)、地(di)質樣(yang)品等(deng)γ能譜(pu)測量(liang)分析(xi)。

技(ji)術性能指標(biao)

（1）高(gao)純鍺(zhe)探測器

類型(xing)：寬能型(xing)高純鍺(zhe)探測器

探(tan)測(ce)器尺(chi)寸：面積(ji)52cm2，探(tan)測(ce)器厚(hou)度(du)30mm

能量範(fan)圍：3keV-3MeV

垂直冷指設計(ji)

相對(dui)效(xiao)率：≥48%

能量分辨率(lv)：

≤1.80keV@1332keV

≤0.45keV @ 5.9keV

≤0.70keV @ 122keV

探(tan)測(ce)器材料采用超(chao)低本底(di)材料制成，其中(zhong)鋁：99.999%純度(du)，U、Th 含量(liang)低(di)於(yu)1ppb；銅：99.99%純度(du)；不銹(xiu)鋼 Co-60含量(liang)低(di)；復(fu)合碳纖維

前(qian)放(fang)與探測器(qi)分離(li)，位(wei)於超(chao)低本底(di)鉛(qian)室外(wai)部(bu)

2）數字(zi)化多道(dao)分析(xi)器(qi)

電(dian)子學(xue)類型(xing)：壹體化數字(zi)電(dian)子學(xue)

道(dao)數：16k 道(dao)

TCP/IP 協(xie)議(yi)通訊；內(nei)置(zhi) WEB 服(fu)務(wu)器

測(ce)量(liang)模式：PHA（脈(mai)沖高(gao)度(du)分析(xi)）

電(dian)子學(xue)內(nei)置(zhi)高壓，放大器，多道(dao)等

增(zeng)益(yi)範(fan)圍 x1.6tox360

數字(zi)濾(lv)波(bo)器(qi)上(shang)升(sheng)時間 0.4-30μ s，平(ping)頂(ding)時(shi)間 0-2.8μ s

積(ji)分非(fei)線性：在(zai)選擇(ze)範(fan)圍頂(ding)上(shang) 99％, ≤滿(man)刻度(du)的±0.025%；微(wei)分非(fei)線性：在(zai)包括來(lai)自(zi)積分非(fei)線性影響的頂上 99％的範(fan)圍上(shang)，≤±1%

系(xi)統(tong)增益(yi)段可選擇(ze)為(wei)：16 384, 8192 , 4096, 2048, 1024 或(huo) 512 道(dao)

脈(mai)沖對(dui)分辨率(lv)– 對(dui)選(xuan)擇(ze)的NORM探(tan)測(ce)器類型(xing)，好(hao)於500 ns

（3）原(yuan)裝超(chao)低本底(di)鉛(qian)室

鉛(qian)室類型(xing)：超(chao)低本底(di)鉛(qian)室，壹(yi)體化鑄(zhu)造，配套環型(xing)鉛(qian)塞

外(wai)形(xing)及(ji)開(kai)門(men)方(fang)式：圓柱形(xing)，頂開(kai)門(men)

50-2000keV 範(fan)圍內(nei)的本底(di)計(ji)數率(lv)≤1CPS

外(wai)層(ceng) 9.5mm 厚(hou)低(di)碳鋼， 中層(ceng) 15cm 厚(hou)鉛(qian)（其中(zhong) 12.5cm 厚(hou)低(di)本底(di)鉛(qian)，內(nei)層(ceng)2.5cm含量(liang)低(di)於(yu)25Bq/kg 的超(chao)低本底(di)鉛(qian)）；內(nei)襯(chen)1mm厚(hou)的錫及(ji)1.6mm厚(hou)的銅

帶有(you)通(tong)氣(qi)孔(kong)，可為測量室通(tong)入(ru)氮(dan)氣，進壹(yi)步(bu)降(jiang)低系(xi)統本底(di)。

（4）譜(pu)分析(xi)及(ji)獲取(qu)軟(ruan)件

采(cai)用(yong)成熟的操作(zuo)分析(xi)平(ping)臺(tai)

可進行譜(pu)獲取(qu)，參數設(she)定(ding)等功(gong)能

內(nei)置(zhi)可編輯核素庫：預(yu)制(zhi)庫文(wen)件(jian)包含核素大於 200 種

符(fu)合相加(jia)校正(zheng)

包含能夠滿(man)足(zu)軟(ruan)件運(yun)行要求(qiu)的數據處理終(zhong)端(duan)

（5）無(wu)源效(xiao)率刻度(du)軟(ruan)件

能對(dui)三(san)通(tong)管(guan)、螺(luo)帽、螺(luo)栓等(deng)任(ren)何(he)可編輯其形(xing)狀(zhuang)的不規則樣品(pin)進行效(xiao)率刻度(du)

提(ti)供(gong) 3D 視(shi)覺(jiao)高(gao)速創建幾何(he)條件和(he)錯(cuo)誤(wu)識(shi)別功(gong)能

支持真正(zheng)的無源級(ji)聯符(fu)合求(qiu)和(he)校正-不(bu)需(xu)要基(ji)於源的 P/T 刻度(du)

采(cai)用(yong)總效(xiao)率算法，包括沈積校(xiao)正(zheng)

可以(yi)創建多個(ge)體源的復合效(xiao)率

提(ti)供(gong)自動刻度(du)功(gong)能

刻度(du)可以(yi)像用傳(chuan)統(tong)技術產生(sheng)的刻度(du)壹樣(yang)存(cun)儲、重(zhong)新調出和使(shi)用(yong)

包括通(tong)常(chang)市場可提供的容(rong)器(qi)的庫，常(chang)見吸收體材料庫和(he)創(chuang)立(li)新材料類型(xing)工具(ju)

提(ti)供(gong)無源效(xiao)率刻度(du)對(dui)多種體源的驗(yan)證及(ji)誤(wu)差分析(xi)的報(bao)告