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更新時(shi)間(jian):2025-03-09
訪(fang)問量(liang):3101
廠(chang)商(shang)性(xing)質(zhi):生產廠(chang)家(jia)
生產地(di)址:
| 品(pin)牌(pai) | 其(qi)他(ta)品(pin)牌(pai) | 測(ce)量(liang)範圍 | - |
|---|---|---|---|
| 測(ce)量(liang)方(fang)式 | 其(qi)他(ta) | 測(ce)量(liang)時間(jian) | -s |
| 產地(di) | 國產 | 加(jia)工定(ding)制 | 是 |
RAM-100核(he)輻(fu)射傷員鼻腔汙染測(ce)量(liang)儀
吸(xi)入體(ti)內(nei)的放(fang)射性(xing)氣溶(rong)膠(jiao)首(shou)先沈(chen)積(ji)在人(ren)體(ti)呼吸(xi)系(xi)統(tong),並(bing)逐(zhu)漸(jian)向(xiang)其(qi)他(ta)組織或(huo)器(qi)官轉移(yi)。滯留(liu)體(ti)內(nei)的放(fang)射性(xing)核素(su)將(jiang)對(dui)人(ren)體(ti)產生(sheng)照(zhao)射,終(zhong)可能(neng)導致組織損(sun)壞(huai)或引發癌癥(zheng)。對(dui)於α/β核(he)素(su)而(er)言(241Am,239Pu,235U 和(he)238U等(deng)),其(qi)體(ti)內(nei)汙(wu)染檢(jian)測(ce)盡(jin)管可(ke)利用(yong)適(shi)於低能(neng)χ/γ射線的體(ti)外(wai)直(zhi)接測(ce)量(liang)方(fang)法(fa),但該方(fang)法(fa)對(dui)測(ce)量(liang)環(huan)境本(ben)底和(he)探(tan)測(ce)效(xiao)率(lv)刻度(du)要(yao)求較(jiao)高(gao),目前只能(neng)在(zai)少(shao)數(shu)實(shi)驗室開展。而(er)生(sheng)物(wu)樣品分(fen)析通常(chang)具有化(hua)學(xue)特異性(xing),流(liu)程(cheng)耗(hao)時(shi)較(jiao)長(chang)(幾天(tian)至(zhi)幾(ji)周),無(wu)法(fa)快速(su)給出結(jie)果(guo),也難以(yi)重獲安全(quan)相(xiang)同(tong)的樣品,所以(yi)在(zai)核輻(fu)射突發(fa)現場(chang),如何(he)快速(su)準(zhun)確(que)地(di)對(dui)可(ke)能(neng)存在的α核(he)素(su)吸入汙(wu)染進行(xing)檢(jian)測(ce),壹(yi)直(zhi)是(shi)醫學(xue)救援(yuan)的要(yao)求。早(zao)年是(shi)基於金矽(gui)面壘(lei)探測(ce)器(qi)的內(nei)照(zhao)射檢(jian)測(ce)儀(yi)器(qi),該產品(pin)是(shi)采用采用半導體(ti)探(tan)測(ce)器(qi)(壽(shou)命(ming)長(chang),不(bu)容(rong)易(yi)汙(wu)染)。
RAM-100核(he)輻(fu)射傷員鼻腔汙染測(ce)量(liang)儀,是(shi)在(zai)核輻(fu)射突發(fa)事(shi)件的情(qing)況(kuang)下,如何(he)在事(shi)發現(xian)場(chang)快速(su)準(zhun)確(que)的對(dui)可(ke)能(neng)受(shou)到(dao)放射性(xing)核素(su)內(nei)照(zhao)射汙(wu)染的大(da)批(pi)量人群進行(xing)篩(shai)查分(fen)類,對(dui)於保障(zhang)人民生(sheng)命(ming)健康,有效(xiao)利用(yong)醫療(liao)資源(yuan),維(wei)護社(she)會穩(wen)定(ding)和(he)安全(quan)具有重大意義(yi)。
取(qu)樣方(fang)法(fa):
采(cai)用(yong)1根新(xin)的未(wei)使用(yong)過的,從某個(ge)人(ren)體(ti)鼻(bi)孔(kong)裏、口腔(qiang)或(huo)者放射性(xing)汙染的傷口(kou)上刮(gua)拭放(fang)射性(xing)汙染物(wu),取得(de)樣品,記(ji)錄該樣品取(qu)得(de)的日期(qi)、時(shi)間(jian)、某人(ren)並(bing)進行(xing)實(shi)名編(bian)號(hao)。
測(ce)量(liang)原理(li):
該儀器(qi)是(shi)給人體(ti)產生(sheng)內(nei)照(zhao)射α/β粒(li)子(zi)快速(su)檢(jian)測(ce)方(fang)法(fa),是采(cai)用(yong)半(ban)導體(ti)探(tan)測(ce)器(qi),由於半導體(ti)探(tan)測(ce)器(qi)分(fen)辨率(lv)高(gao),用能(neng)量(liang)甄(zhen)別(bie)的方(fang)法(fa)快速(su)測(ce)量(liang)低濃度(du)α/β粒(li)子(zi)。
首(shou)先(xian)在天(tian)然(ran)放(fang)射性(xing)況(kuang)下,進行(xing)取(qu)樣測(ce)量(liang),並(bing)求(qiu)得(de)天(tian)然(ran)放(fang)射性(xing)的本(ben)底校(xiao)正(zheng)系(xi)數(shu),以(yi)後(hou)測(ce)量(liang),從而(er)快(kuai)速(su)得(de)出(chu)人(ren)體(ti)內(nei)表(biao)面α/β粒(li)子活(huo)度(du)Bq/m3或(huo)者計(ji)算出(chu)計(ji)數率(lv)cpm。
技(ji)術指(zhi)標:
1.測(ce)量(liang)功能(neng):內(nei)照(zhao)射汙(wu)染
2.探(tan)測(ce)器(qi):半(ban)導體(ti)探(tan)測(ce)器(qi)
3.探(tan)測(ce)面積(ji):530mm2,探測(ce)效(xiao)率(lv):Pu-239:39%/Sr/Y-90:40%
4.本(ben)底計(ji)數:α≦2cpm,β≦70cpm(在(zai)γ本(ben)底環(huan)境下)
5.測(ce)量(liang)單(dan)位(wei):counts,cpm,cps,Bq,Bq/m3,dpm,dps
6.計(ji)數範圍:α:1-10000cps,β:1-100000cps
7.測(ce)量(liang)範圍:(死(si)時間(jian)<10%)0-5000cps;0.1Bq/m3~1×105Bq/m3
8.測(ce)量(liang)靈敏(min)度(du):測(ce)量(liang)周期(qi)5-60分(fen)鐘(可(ke)設(she)置(zhi)),壹(yi)般設置(zhi)5分(fen)鐘;對(dui)239Puα粒(li)子(zi)活(huo)度(du)下限可達(da)0.1Bq/m3
9.擦(ca)拭樣品測(ce)試(shi): 帶(dai)測(ce)量(liang)抽(chou)屜1個(ge),配(pei)置(zhi)100支;可(ke)隨(sui)時進行(xing)鼻(bi)咽(yan)擦(ca)拭樣品測(ce)量(liang)
10.數(shu)據(ju)記(ji)錄: ≥900個(ge)測(ce)量(liang)值(zhi)
11.儀(yi)器(qi)工作環(huan)境:溫(wen)度(du):0-40ºC (±2ºC),濕度(du):不(bu)大於90%(30ºC)
12.電(dian)源(yuan):直(zhi)流(liu)(內(nei)置可(ke)充(chong)電(dian)蓄(xu)電(dian)池(chi)供(gong)電(dian))或(huo)者AC 220V -5v (即插(cha)即用(yong))
13.正(zheng)常(chang)條件下儀器(qi)的基本(ben)誤差(cha)不(bu)大於±10%。
14.正(zheng)常(chang)條件下,儀器(qi)工作八(ba)小(xiao)時其(qi)探(tan)測(ce)效(xiao)率(lv)變(bian)化(hua)不(bu)大於±10%。
15.計(ji)數的容(rong)量(liang)為99999999。
16.鋰電(dian)池(chi)工作:時(shi)間(jian)大(da)於24小時,可充(chong)電(dian);也(ye)可(ke)使用(yong)交(jiao)流(liu)AC-DC
17.尺(chi)寸(cun)與重量:260×160X245mm,2600g
上(shang)壹(yi)篇(pian) : RDU57D型(xing)輻射場(chang)所監測(ce)儀(yi)
下壹(yi)篇(pian) : 化(hua)學(xue)中(zhong)毒(du)事(shi)故應(ying)急(ji)藥箱(xiang)