HD-175C型(xing)放射(she)性(xing)活(huo)度(du)計(ji)

HD-175C型(xing)放射(she)性(xing)活(huo)度(du)計(ji)

1、儀(yi)器(qi)簡介

HD-175C型(xing)放射(she)性(xing)活(huo)度(du)計(ji)(Radioactivity meter)是測(ce)量放射(she)性(xing)衰(shuai)變(bian)率的(de)儀(yi)器(qi)。放射(she)性(xing)衰(shuai)變(bian)率曾(zeng)經(jing)稱(cheng)為(wei)放射(she)性(xing)和放射(she)性(xing)強度(du)，1962年(nian)輻(fu)射(she)學單位(wei)委(wei)員(yuan)會(hui)建(jian)議使(shi)用放射(she)性(xing)活(huo)度(du)。1975年計(ji)量大會規定(ding)活(huo)度(du)的(de)標(biao)準(zhun)單位(wei)為(wei)“貝可(ke)”（Bq），每秒(miao)衰(shuai)變(bian)1次(ci)等(deng)於1貝可(ke)。“居裏(li)”（Ci）仍為(wei)暫時(shi)並(bing)用單位(wei)。1Ci=3.7×1010Bq。

HD-175C型(xing)活(huo)度(du)計(ji)廣(guang)泛(fan)用於醫(yi)院、放射(she)性(xing)藥(yao)廠(chang)、核電(dian)站、放射(she)源(yuan)生(sheng)產(chan)企(qi)業、科研部(bu)門(men)和放射(she)性(xing)計(ji)量檢測(ce)部(bu)門(men)。尤(you)其(qi)是醫(yi)藥(yao)部(bu)門(men)，隨著(zhe)核醫(yi)學的(de)發(fa)展，同位(wei)素診斷和治(zhi)療(liao)新(xin)藥(yao)不(bu)斷湧現(xian)，新同位(wei)素應(ying)用不(bu)斷增加。備(bei)有壹(yi)臺性(xing)能(neng)優(you)良並(bing)能(neng)測(ce)量各(ge)種核素的(de)活(huo)度(du)計(ji)，對(dui)醫(yi)院的(de)發(fa)展是十分必(bi)要的(de)，對(dui)用藥(yao)前(qian)的(de)活(huo)度(du)檢測(ce)和質量監(jian)控也(ye)是*的(de)。HD-175型(xing)活(huo)度(du)計(ji)就是為(wei)此(ci)而設計(ji)。

標(biao)準(zhun)的(de)活(huo)度(du)計(ji)基(ji)本(ben)部(bu)件是4πγ高(gao)氣(qi)壓電(dian)離室。放射(she)源(yuan)放入井(jing)中，γ射(she)線向四面八(ba)方發射(she)，井壁(bi)作為(wei)接收(shou)窗，立(li)體角(jiao)接近(jin)4π，所以(yi)探測(ce)效率(lv)很(hen)高(gao)，探測(ce)效率(lv)還決定(ding)於井壁(bi)的(de)吸(xi)收(shou)。不(bu)銹鋼井壁對低(di)能(neng)輻(fu)射(she)有強烈(lie)的(de)吸(xi)收(shou)作用，能(neng)量愈低(di)吸(xi)收(shou)愈強烈(lie)。例如(ru)125I的(de)主(zhu)要能量是27.5KeV，不(bu)銹鋼井壁就難於測(ce)量，鋁(lv)井(jing)壁則(ze)。上(shang)*鋁(lv)材(cai)是制作井(jing)壁(bi)的(de)材(cai)料。HD-175型(xing)活(huo)度(du)計(ji)就是采用鋁(lv)井(jing)壁，能(neng)很(hen)好(hao)的(de)測(ce)量125I等(deng)低能(neng)核素。

HD-175C型(xing)的(de)另(ling)壹(yi)特(te)點是：測(ce)量核素多，穩(wen)定(ding)性(xing)好(hao)。尤(you)其(qi)對(dui)低(di)活(huo)度(du)測(ce)量有很(hen)大優(you)勢(shi)，對(dui)＜10µCi的(de)核(he)素，目(mu)前(qian)國內外(wai)很(hen)多類(lei)型(xing)的(de)活(huo)度(du)計(ji)均(jun)不(bu)能給出穩定(ding)的(de)測(ce)量值，HD-175可(ke)做(zuo)到誤差(cha)≤5%。

2、HD-175型(xing)活(huo)度(du)計(ji)技(ji)術(shu)指(zhi)標(biao)

測(ce)量核素：190個；

相(xiang)對(dui)基本(ben)誤差(cha)：±2.2%；

穩(wen)定(ding)性(xing)：±0.12%；

分辨率：1KBq(0.03μCi)；

重(zhong)復(fu)性(xing)：±0.12%；

量程(cheng)：3.7KBq—370GBq；

低(di)能(neng)探測(ce)限：13KeV；

測(ce)量時(shi)間(jian)：1-13s，可(ke)連續(xu)測(ce)量。

3、高(gao)壓電(dian)離室結(jie)構(gou)特(te)點

電(dian)離室坪(ping)斜(xie)：0.008%；

噪聲(sheng)電(dian)流(liu)：±2×10-14A；

噪聲(sheng)本(ben)底(60Co)：1KBq。

4、單片機配(pei)置及(ji)主(zhu)要功能(neng)

單片機、液(ye)晶屏(ping)、12位(wei)A/D；

232口(kou)與Pc機通(tong)訊(xun)、寬行高(gao)速(su)微打(da)；

核(he)素活(huo)度(du)、遞(di)衰(shuai)活(huo)度(du)及(ji)半衰(shuai)期(qi)測(ce)量；

監(jian)督源(yuan)校正(zheng)、時(shi)間(jian)換(huan)算(suan)和參數(shu)查詢；

自(zi)動換(huan)檔(dang)和扣(kou)除(chu)本(ben)底。

5、Pc機配(pei)置及(ji)主(zhu)要功能(neng)

Pc機、12位(wei)A/D；

核(he)素活(huo)度(du)和遞(di)衰(shuai)活(huo)度(du)測(ce)量；

監(jian)督源(yuan)校正(zheng)、時(shi)間(jian)換(huan)算(suan)和參數(shu)查詢；

半衰(shuai)期(qi)測(ce)量和誤差(cha)計(ji)算(suan)；

小(xiao)二(er)乘(cheng)法(fa)計(ji)算(suan)斜率、截(jie)距(ju)和標(biao)準(zhun)偏(pian)差(cha)。