ZZSO與PIPS半(ban)導(dao)體及(ji)中子探測(ce)器(qi)

                              ZZSO與PIPS半(ban)導(dao)體及(ji)中子探測(ce)器(qi)
 

壹、PIPS半(ban)導(dao)體探測(ce)器(qi)
 
PIPS半(ban)導(dao)體探測(ce)器(qi)外觀(guan)圖
 
AB系(xi)列的(de)PIPS探測(ce)器(qi)測(ce)量(liang)226Ra-α源(yuan)能(neng)譜(pu)
（型號(hao)：SP-D20-R14，靈(ling)敏(min)直徑20mm，真空避(bi)光下測(ce)量(liang)，50V偏(pian)壓，jia能(neng)量(liang)分辨率(lv)0.40%）
 
壹、 ZZSO與PIPS半(ban)導(dao)體及(ji)中子探測(ce)器(qi)系列產(chan)品簡(jian)介(jie)
   采用鈍化(hua)、離(li)子註(zhu)入(ru)與平面(mian)光刻(ke)等多種半(ban)導(dao)體工(gong)藝(yi)技(ji)術相(xiang)結合，經過(guo)攻(gong)克鈍化(hua)保(bao)護(hu)、離子註(zhu)入(ru)、低(di)漏電(dian)流(liu)、大面(mian)積、高(gao)能(neng)量(liang)分辨率(lv)、環(huan)境(jing)光下使(shi)用等難題(ti)後，成(cheng)功開(kai)發出(chu)用於(yu)α和β粒(li)子(zi)的(de)能(neng)譜(pu)和計數測(ce)量(liang)的(de)高(gao)性能(neng)PIPS探測(ce)器(qi)。
 
二(er)、 產(chan)品特點(dian)
1) 超(chao)薄(bo)死(si)層（入(ru)射(she)窗），表(biao)面(mian)鈍化(hua)處(chu)理，穩定性(xing)好；離(li)子(zi)註入(ru)結，堅固(gu)可(ke)靠；
2) 漏電(dian)流(liu)低(di)，噪(zao)聲低(di)，幾何探測(ce)效(xiao)率高(gao)，β探測(ce)效(xiao)率高(gao)；
3) 可(ke)在真(zhen)空環(huan)境(jing)下使(shi)用中，AB系列探測(ce)器(qi)的(de)α能(neng)量(liang)分辨率(lv)高(gao)；
4) CAM系統(tong)探測(ce)器(qi)表(biao)面(mian)可(ke)沖(chong)洗(xi)、可(ke)擦(ca)拭(shi)。特殊定(ding)制(zhi)可(ke)經350℃高(gao)溫(wen)烘(hong)烤。
 技(ji)術指(zhi)標(biao)：
靈(ling)敏(min)直徑20mm，真空避(bi)光下測(ce)量(liang)，50V偏(pian)壓，you能(neng)量(liang)分辨率(lv)0.40%

二(er)、SiC半(ban)導(dao)體探測(ce)器(qi)
 
圖1. SiC半(ban)導(dao)體探測(ce)器(qi)外形(xing)圖
 
圖2. SiC探測(ce)器(qi)測(ce)量(liang)241Am-α粒(li)子(zi)能(neng)譜(pu)
（型號(hao)：SiC-CB10-20P，靈(ling)敏(min)面(mian)積100mm2，真(zhen)空閉(bi)光下測(ce)量(liang)，偏(pian)壓50V，能(neng)量(liang)分辨率(lv)0.95%）
壹、 ZZSO與PIPS半(ban)導(dao)體及(ji)中子探測(ce)器(qi)系列壹(yi)產(chan)品簡(jian)介(jie)
SiC探測(ce)器(qi)在抗高(gao)溫(wen)、抗輻射以及(ji)耐(nai)高(gao)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓等方面(mian)的(de)性(xing)能(neng)非(fei)常*，SiC探測(ce)器(qi)可(ke)用於(yu)α、β、γ/X、n核輻射測(ce)量(liang)，廣(guang)泛(fan)應(ying)用於(yu)、核能(neng)、電(dian)子(zi)、航天(tian)等領(ling)域(yu)。
二(er)、 產(chan)品特點(dian)
1) α能(neng)量(liang)分辨率(lv)高(gao)（≤1%@5.48MeV），極低(di)漏電(dian)流(liu)（≤10nA/cm2）
2) 耐(nai)高(gao)溫(wen)（烘(hong)烤溫(wen)度≤350℃）耐(nai)輻照（快中子≥1E14/cm2）
 

三(san)、ZZSO中子探測(ce)器(qi)
 
 圖1.  ZZSO中子探測(ce)器(qi)n-γ響應(ying)能(neng)譜(pu)
 ZZSO與PIPS半(ban)導(dao)體及(ji)中子探測(ce)器(qi)系列壹(yi)產(chan)品簡(jian)介(jie)
ZZSO中子探測(ce)器(qi)具有(you)熱(re)中子探測(ce)效(xiao)率高(gao)、快慢(man)中子響應(ying)、伽(jia)馬甄(zhen)別(bie)能(neng)力(li)強、時(shi)間(jian)響應(ying)快、輸(shu)出(chu)幅度大(da)、噪(zao)聲低(di)等優點(dian)，各(ge)種(zhong)規格的(de)ZZSO探測(ce)器(qi)可(ke)用於(yu)中子個(ge)人(ren)劑量(liang)計、中子報(bao)警儀、中子巡測(ce)儀(yi)、中子當(dang)量(liang)劑量(liang)儀(yi)等核儀(yi)器(qi)儀表(biao)。
 
產品特點(dian)
1) 熱(re)中子探測(ce)效(xiao)率高(gao)，快慢(man)中子同(tong)時(shi)測(ce)量(liang)，中子伽(jia)馬(ma)同(tong)時(shi)測(ce)量(liang)
2) 靈(ling)敏(min)度高(gao)，時(shi)間(jian)響應(ying)，中子-伽(jia)馬(ma)串擾(rao)率(lv)低(di)
3) 穩可(ke)靠性，集成度(du)高(gao)，功耗(hao)低(di)