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更新時(shi)間(jian)：2025-03-07
訪(fang)問(wen)量(liang)：7720
廠(chang)商(shang)性質：生(sheng)產廠(chang)家(jia)
生(sheng)產地(di)址(zhi)：上海
| 測量(liang)範圍(wei) | 1nSv/h~600μSv/h | 測(ce)量(liang)時(shi)間(jian) | 10s |
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RJ32-3202手持式(shi)核(he)輻射巡檢儀
RJ32-3202手持式(shi)核(he)輻射巡檢儀產品(pin)介(jie)紹：
RJ32-3202手持式(shi)核(he)輻射巡檢儀是壹(yi)款壹(yi)體(ti)式數(shu)字化(hua)多(duo)功能(neng)輻射巡測儀，它(ta)滿足10個(ge)量(liang)程級別(bie)，對X、γ、中(zhong)子(zi)三種(zhong)射線的進行精(jing)測(ce)量(liang)，對γ射線進行能(neng)譜(pu)分(fen)析，同時(shi)防(fang)水、防塵在(zai)惡劣環(huan)境下工(gong)作。iDefender有(you)著(zhe)廣泛(fan)的(de)用(yong)途，如環(huan)保(bao)監測(ce)（核(he)安(an)全）、放(fang)射衛生(sheng)監測(ce)（疾控(kong)、核(he)醫學(xue)）、國(guo)土(tu)安(an)全監測（出(chu)入(ru)境、海關）、公共(gong)安(an)全監測、核(he)電站、實(shi)驗室以(yi)及(ji)核(he)技術應(ying)用(yong)等場(chang)合(he)，同(tong)時(shi)也適用(yong)於再生(sheng)資源(yuan)行(xing)業廢(fei)舊金(jin)屬的放(fang)射性檢測。
RJ32-3202手持式(shi)核(he)輻射巡檢儀產品(pin)特(te)點：
多組(zu)分(fen)可(ke)選(xuan)輻射探測器 | 高(gao)強(qiang)度(du)ABS抗(kang)電磁(ci)幹擾防(fang)水(shui)外殼(ke) |
2.4吋(cun)320*240TFT彩色(se)液(ye)晶(jing)顯(xian)示(shi)器 | 多層(ceng)數(shu)字分(fen)析鍍金電路(lu) |
高(gao)速(su)雙核(he)處理器 | 4G大(da)容量(liang)存儲卡 |
USB聯上(shang)位(wei)機數(shu)據線 | 彩色(se)背光(guang)處理器 |
數據分析光(guang)盤（選(xuan)配） | 大(da)容量(liang)鋰(li)電池 |
高(gao)速(su)快充充(chong)電器(qi) | 高(gao)強(qiang)度(du)ABS防(fang)水(shui)包裝箱 |
RJ32-3202手持式(shi)核(he)輻射巡檢儀技術參(can)數(shu)：
主探(tan)測(ce)器(qi)（3602探測器(qi)）：閃爍(shuo)體(ti)探測(ce)器(qi)+PMT；副(fu)探測器(qi)：SI-PIN
探測(ce)器(qi)尺(chi)寸：NaI（TI) 1.2"×1.2"；SI-PIN: 5mm²
靈敏度(du)：≥400cps/μSv/h （Cs-137）
主探(tan)測(ce)器(qi)劑量(liang)率(lv)範圍(wei)：1nSv/h~600μSv/h；
副探(tan)測(ce)器(qi)劑量(liang)率(lv)範圍(wei)：0.1μSv/h~10Sv/h；
累積(ji)劑(ji)量(liang)範圍(wei)：1nSv~999999mSv
相對固(gu)有誤差(cha)：≤10%
重(zhong)復(fu)性：小於等於±5%
檢測(ce)頻率：自(zi)1秒鐘(zhong)開(kai)始連續可調(tiao)
報警閾值：自(zi)0.25μSv/h開始連續可調(tiao)
報警fang式：聲(sheng)、光(guang)、震(zhen)動
電池使(shi)用(yong)時(shi)間(jian)：12小時(shi)
溫度(du)範圍(wei)：-40℃~+55℃
濕度(du)範圍(wei)：0~95% 不(bu)結(jie)露(lu)
充電器(qi)：5V~1A
尺寸(cun)：235×95×77mm
重(zhong)量(liang)：1200g
產品(pin)型號：
型號 | 註釋 |
| NaI（Tl) 1.2"×1.2" 典型配置(zhi) |
RJ32-3502 | NaI（Tl) 1.6"×2" 可測(ce)譜(pu) |
RJ32-3202 | NaI（Tl) 2"×2" 可測(ce)譜(pu) |
RJ32-3104 | NaI(TI) 1.6"×0.2" 防護(hu)級 |
RJ32-5502 | LaBr3（Ce） 1.2"×1.2" 可測(ce)譜(pu) |
RJ32-5153 | LaBr3（Ce） 1.2"×0.4" 可測(ce)譜(pu) |
RJ32-2103 | 塑(su)料(liao)閃爍(shuo)體(ti) 1.6"×2" γ能(neng)響(xiang)好 |
RJ32-4105 | 加壓(ya)電離室 容積(ji)：100cc 能(neng)量(liang)範圍(wei)寬 能(neng)響(xiang)好 |
RJ32-7105Li6 | 6LiI（Eu） n、γ能(neng)響(xiang)好 |
RJ32-7105He3 | He3正比(bi)計(ji)數(shu)管 靈敏度(du)高(gao) |
RJ32-7105B10 | BF3正比(bi)計(ji)數(shu)管 抗(kang)γ幹擾強(qiang) |
產品(pin)探(tan)頭(tou)：
主探(tan)測(ce)器(qi)：碘(dian)化(hua)na探(tan)測器NaI（TI） | |
3502探測(ce)器(qi) 主探(tan)測(ce)器(qi)：碘(dian)化(hua)na閃(shan)爍體(ti)+PMT 閃爍(shuo)體(ti)尺寸(cun)：NaI（TI) 1.6"×2" 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：5keV~3.0MeV 測譜(pu)功能(neng)：1024道γ 能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)：好於7.0%（Cs-137） 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：1nSv/h~500μSv/h |
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3104探頭(tou) 閃爍(shuo)體(ti)尺寸(cun)： NaI(TI) 1.6"×0.2" 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：5keV~3.0MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：10nSv/h~10000μSv/h |
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3202探頭(tou) 閃爍(shuo)體(ti)尺寸(cun)：NaI(TI) 2"×2" 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：5keV~3.0MeV 能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)：好於7.0%（Cs-137） 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：1nSv/h~200μSv/h 采用(yong)低(di)鉀NaI（TI）+低(di)噪低(di)鉀石英光(guang)電倍(bei)增(zeng)光(guang) | |
主探(tan)測(ce)器(qi)：溴(xiu)化(hua)瀾(lan)探測器LaBr3（Ce） | |
5502探測(ce)器(qi) 主探(tan)測(ce)器(qi)：溴(xiu)化(hua)瀾(lan)閃爍體(ti)+PMT 閃爍(shuo)體(ti)尺寸(cun)：LaBr3（Ce） 1.2"×1.2" 能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)：好於3.0%（Cs-137） 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：5keV~3.0MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：1nSv/h~500μSv/h |
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5153探測(ce)器(qi) 主探(tan)測(ce)器(qi)：溴(xiu)化(hua)瀾(lan)閃爍體(ti)+PMT 閃爍(shuo)體(ti)尺寸(cun)：LaBr3（Ce） 1.2"×0.4" 能(neng)量(liang)分(fen)辨(bian)率(lv)：好於3.0%（Cs-137） 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：20keV~3.0MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：10nSv/h~1500μSv/h |
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主探(tan)測(ce)器(qi)：塑(su)料(liao)閃爍(shuo)體(ti)探測(ce)器(qi) | |
2103探測(ce)器(qi) 主探(tan)測(ce)器(qi)：塑(su)料(liao)閃爍(shuo)體(ti)+PMT 閃爍(shuo)體(ti)尺寸(cun)：1.6"×2" 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：25keV~3.0MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：10nSv/h~1000μSv/h |
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主探(tan)測(ce)器(qi)：電離室探測器 | |
4105探測(ce)器(qi) 主探(tan)測(ce)器(qi)：加壓(ya)電離室 容積(ji)：100cc 能(neng)量(liang)響(xiang)應(ying)：10keV及(ji)以(yi)上(shang) 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：0.1μSv/h~100mSv/h |
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主探(tan)測(ce)器(qi)：中(zhong)子(zi)探測(ce)器 | |
7105Li6 探測(ce)器(qi)類(lei)型：6LiI（Eu） 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：0.1μSv.h~100.00mSv/h 能(neng)量(liang)範圍(wei)：0.025eV~14MeV 慢化(hua)體(ti)：有 |
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7105He3 探測(ce)器(qi)類(lei)型：3He正比計數(shu)管 探測(ce)器(qi)尺(chi)寸：25mm×100mm 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：0.1μSv.h~100.00mSv/h 能(neng)量(liang)範圍(wei)：0.025eV~14MeV 慢化(hua)體(ti)：有 | |
7105B10 探測(ce)器(qi)類(lei)型：BF3正比計數(shu)管 探測(ce)器(qi)尺(chi)寸：25mm×100mm 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：0.1μSv.h~100.00mSv/h 能(neng)量(liang)範圍(wei)：0.025eV~14MeV 慢化(hua)體(ti)：有 | |
可選(xuan)副探(tan)測(ce)器(qi)及(ji)參(can)數(shu) | |
副探(tan)測(ce)器(qi)：GM探測器(qi) | |
1503探測(ce)器(qi) 副探(tan)測(ce)器(qi)：GM管 探測(ce)器(qi)尺(chi)寸：Φ0.4"×4" 能(neng)量(liang)範圍(wei)：40keV~1.5MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：10nSv/h~5mSv/h |
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1305探測(ce)器(qi) 副探(tan)測(ce)器(qi)：GM管 探測(ce)器(qi)尺(chi)寸：Φ0.2"×2.6" 能(neng)量(liang)範圍(wei)：40keV~1.5MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：10nSv/h~30mSv/h | |
1155探測(ce)器(qi) 副探(tan)測(ce)器(qi)：GM管 探測(ce)器(qi)尺(chi)寸：Φ0.2"×1.2" 能(neng)量(liang)範圍(wei)：40keV~1.5MeV 劑量(liang)率(lv)量(liang)程：10nSv/h~150mSv/h | |
副探(tan)測(ce)器(qi)：半(ban)導(dao)體(ti)探測(ce)器(qi) | |
8108探測(ce)器(qi) 副探(tan)測(ce)器(qi)：SI-PIN 探測(ce)器(qi)面(mian)積(ji)：5mm2 測量(liang)範圍(wei)：0.1mSv/h ~10Sv/h（過(guo)載劑量(liang)率(lv)50Sv/h）； 能(neng)量(liang)範圍(wei)：50KeV~6MeV |
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