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更新時間(jian):2025-03-07
訪(fang)問(wen)量:2223
廠商(shang)性(xing)質:生產廠家(jia)
生產地(di)址:上(shang)海(hai)
| 測量方式 | 定(ding)時(shi)測(ce)量 | 產地(di) | 國(guo)產 |
|---|---|---|---|
| 加工(gong)定(ding)制 | 否(fou) |
DART閃爍探(tan)測(ce)器(qi)集(ji)成(cheng)電子學模塊
壹、DART閃爍探(tan)測(ce)器(qi)集(ji)成(cheng)電子學模塊產品簡(jian)介(jie)
DART閃爍探(tan)測(ce)器(qi)電(dian)子(zi)學模塊是高(gao)度(du)集成的數(shu)字(zi)化(hua)譜儀,把前放、高(gao)壓、多道(dao)集(ji)成在(zai)14針管(guan)座(zuo)內。前端直(zhi)接和(he)標(biao)準的(de)NaI、LaBr3等探(tan)頭(tou)直(zhi)接連接,後端通(tong)過USB直(zhi)接和(he)能譜數(shu)據(ju)采集(ji)與(yu)分(fen)析(xi)終端(計算(suan)機(ji)、智能手(shou)機)連(lian)接,數(shu)據(ju)結(jie)構(gou)支(zhi)持(chi)windows、Android等(deng)操(cao)作(zuo)系統,且(qie)用(yong)戶(hu)可定(ding)制數(shu)據(ju)結(jie)構(gou).
公司同時提供基(ji)於(yu)時(shi)間(jian)系列(lie)分(fen)析(xi)、模糊聚(ju)類和(he)能譜分(fen)析(xi)的,集成劑(ji)量率測(ce)量、核素(su)識(shi)別(bie)和(he)活度(du)測(ce)量的GammaSharp-S軟(ruan)件(jian)。
在以(yi)上(shang)基(ji)礎(chu)上(shang),用(yong)戶(hu)可直(zhi)接搭建(jian)伽(jia)瑪放(fang)射(she)性(xing)測量儀器(qi)和(he)探(tan)測(ce)器(qi)陣(zhen)列(lie)網絡。
二、應(ying)用(yong)領域
伽(jia)瑪射(she)線(xian)放(fang)射(she)性(xing)探(tan)測(ce)器(qi)制造(zao)商、科(ke)研(yan)院(yuan)所(suo)、高(gao)校等的(de)伽(jia)瑪放(fang)射(she)性(xing)測量科研(yan)項目(mu),科(ke)學(xue)研(yan)究(jiu)。
三、DART閃爍探(tan)測(ce)器(qi)集(ji)成(cheng)電子學模塊指(zhi)標(biao)
l 多道(dao):1024道、2048道和(he)4096道可選配(pei);
l 溫度(du)反饋(kui)電(dian)路(lu)設計,溫(wen)度(du)系數(shu):增(zeng)益(yi)<35ppm/°C;零點<3ppm/°C,不需(xu)要軟件穩譜,連(lian)續(xu)使用(yong)峰(feng)中(zhong)心(xin)道漂移不超(chao)過2%;
l 對於探(tan)測(ce)器(qi),NaI探(tan)測(ce)器(qi)連(lian)續(xu)使用(yong),能量分(fen)辨(bian)率保持在(zai)7%(662KeV)以(yi)內,LaBr3探(tan)測(ce)器(qi)使用(yong),能量分(fen)辨(bian)率保持在(zai)2.5%(662KeV)以(yi)內;
l zui大數(shu)據(ju)通(tong)過率(lv):大於(yu)100kcps;
l 粗(cu)調(tiao)增(zeng)益(yi):1, 3, 9;
l 成形時間(jian)常數(shu):0.75us-2us,步(bu)長0.25us;
l 線(xian)性(xing):積(ji)分(fen)非(fei)線(xian)性(xing)≤±0.025%;微(wei)分(fen)非(fei)線(xian)性(xing)≤±1%;
l 信號(hao)處(chu)理:具有(you)數(shu)字(zi)化(hua)穩(wen)譜、自(zi)動極零、數(shu)字(zi)化(hua)門控(kong)基(ji)線(xian)恢(hui)復(fu)等功能;
l 數(shu)據(ju)存(cun)儲(chu)器:每(mei)道(dao)容量為231-1計數(shu);
l 自動數(shu)字(zi)化(hua)極零調(tiao)節(jie);
l 通(tong)訊(xun)接口:USB;
l 重量:小於(yu)150克;
l 工(gong)作(zuo)溫度(du):-10~50℃;
l MTTF<24小時(shi)。
四、DART閃爍探(tan)測(ce)器(qi)集(ji)成(cheng)電子學模塊技術特(te)點
l 高(gao)度(du)集成的電(dian)子(zi)學(xue)模塊,用(yong)戶(hu)不需(xu)要專門設計高(gao)性(xing)能的電(dian)子學(xue)系統;
l 支(zhi)持(chi)多種(zhong)操(cao)作(zuo)系統,如Windows、Android等,且(qie)定(ding)制數(shu)據(ju)格(ge)式(shi);
l 異常(chang)優(you)秀(xiu)的溫(wen)度穩定(ding)性(xing),用(yong)戶(hu)不需(xu)要在軟件上(shang)專門做(zuo)穩(wen)譜設(she)計;
l 提供滿足用(yong)戶(hu)需(xu)求的測(ce)量劑(ji)量率、核(he)素(su)識(shi)別(bie)和(he)活度(du)的(de)軟件(jian)支(zhi)持(chi);
l 支(zhi)持(chi)網絡化應(ying)用(yong)。
上(shang)壹(yi)篇(pian) : CNeu中(zhong)子(zi)臨(lin)界報(bao)警(jing)儀
下(xia)壹(yi)篇(pian) : RAM-100放(fang)射(she)性(xing)檢(jian)測(ce)儀