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          低(di)本底測(ce)量(liang)儀市(shi)場將(jiang)呈持續快速(su)增長態(tai)勢

          更新時間:2016-02-26   點(dian)擊(ji)次(ci)數(shu):3158次(ci)
             低(di)本底測(ce)量(liang)儀市(shi)場將(jiang)呈持續快速(su)增長態(tai)勢
            低(di)本底測(ce)量(liang)儀主(zhu)探(tan)測(ce)器(qi)探(tan)頭所用(yong)閃(shan)爍(shuo)體是(shi)低(di)本底αβ雙(shuang)閃(shan)爍(shuo)體,低(di)本底測(ce)量(liang)儀閃(shan)爍(shuo)體是(shi)高能科迪(di)自主(zhu)知識產(chan)權產品,αβ探(tan)測(ce)效(xiao)率高,本底低(di),表(biao)面(mian)可(ke)擦(ca)洗(xi),經久(jiu)耐(nai)用,低(di)本底測(ce)量(liang)儀是(shi)測(ce)量(liang)水(shui)質弱放射(she)性指(zhi)標(biao)的(de)產品。
            低(di)本底測(ce)量(liang)儀是(shi)由計(ji)算(suan)機自動(dong)控(kong)制的(de)多路反符合(he)低(di)本底αβ測(ce)量(liang)系(xi)統。儀器(qi)采用程序(xu)控(kong)制高壓、程序(xu)控(kong)制閥(fa)值,低(di)本底測(ce)量(liang)儀真(zhen)正(zheng)實(shi)現計算(suan)機自動(dong)控(kong)制測(ce)量(liang)過(guo)程;中(zhong)文(wen)測(ce)量(liang)界面(mian),低(di)本底測(ce)量(liang)儀可(ke)打印(yin)結果(guo)及(ji)原始(shi)數(shu)據;具有(you)效(xiao)率高,本底低(di),穩定(ding)性好(hao),操(cao)作(zuo)方(fang)便等特(te)點。全(quan)部指標(biao)均達到(dao)國(guo)標(biao)GB/T 11682-2008要(yao)求(qiu)的(de)Ⅱ級標(biao)準(zhun),部分指標(biao)達(da)到(dao)國(guo)家(jia)Ⅰ級標(biao)準(zhun)。每臺(tai)儀(yi)器(qi)出廠(chang)均附帶(dai)計(ji)量(liang)檢定(ding)證書(shu)。
            低(di)本底測(ce)量(liang)儀廣泛應用於輻射防護,環境樣(yang)品,食(shi)用水(shui),醫(yi)藥衛(wei)生,農業(ye)科學,核電站(zhan),反應堆,同位素生產(chan),地(di)質勘探(tan),高等院校(xiao),科學研(yan)究等領域中αβ的(de)總活(huo)度的(de)測(ce)量(liang)。滿足國標(biao)GB5749-2006生活(huo)飲(yin)用(yong)水(shui)衛(wei)生標(biao)準(zhun)中對放射性指標(biao)的(de)檢驗(yan)。
            低(di)本底測(ce)量(liang)儀產(chan)品特(te)點
            1、程(cheng)控(kong)程度高;儀器(qi)彩(cai)用(yong)程控(kong)高壓、閥(fa)值,計(ji)算機自動(dong)控(kong)制測(ce)量(liang)過(guo)程,可(ke)打印(yin)結果(guo)及(ji)原始(shi)數(shu)據
            2、鉛(qian)室(shi)結構(gou)新穎(ying):創新的(de)鉛(qian)室(shi)結構(gou)設計使反符合(he)探(tan)測(ce)器(qi)與主(zhu)探(tan)測(ce)器(qi)之間距離(li)小(xiao),反符合(he)效(xiao)率高,低(di)本底測(ce)量(liang)儀為(wei)國(guo)內(nei)*多路低(di)本底測(ce)量(liang)儀,各(ge)項(xiang)技(ji)術指標(biao)均達到(dao)*水(shui)平(ping)
            3、機櫃式(shi)創新設計:使得測(ce)量(liang)系(xi)統高度集成(cheng),占(zhan)地空間小(xiao),操(cao)作更加(jia)簡便
            4、低(di)本底測(ce)量(liang)儀穩定(ding)性、重復(fu)性好(hao)
            5、主(zhu)探(tan)測(ce)器(qi)探(tan)頭所用(yong)的(de)閃(shan)爍(shuo)體是(shi)低(di)本底αβ閃(shan)爍(shuo)體,該(gai)閃(shan)爍(shuo)體是(shi)經特(te)殊工(gong)藝(yi)處(chu)理制(zhi)作而成(cheng),αβ探(tan)測(ce)效(xiao)率高,本底低(di),表(biao)面(mian)可(ke)擦(ca)洗(xi),不(bu)性潮(chao)解(jie),經久(jiu)耐(nai)用,不(bu)易損(sun)壞(huai)
            低(di)本底測(ce)量(liang)儀針(zhen)對生活(huo)飲(yin)用(yong)水(shui)衛(wei)生標(biao)準(zhun)國標(biao)GB5749-2006對總α總β放射性(xing)指(zhi)標(biao)的(de)檢驗(yan)而開發(fa)出的(de)產品。低(di)本底測(ce)量(liang)儀的(de)電子(zi)線(xian)路(lu)、鉛(qian)室(shi)屏蔽(bi)技(ji)術采用(yong)了中(zhong)科(ke)院(yuan)高能科迪(di)多年的(de)科研(yan)成(cheng)果(guo)結晶,LB-4型(xing)可(ke)同時測(ce)四(si)個樣品,分別給出(chu)四(si)個樣品中的(de)總α、總(zong)β活度濃度測(ce)量(liang)。具有(you)靈(ling)敏(min)度高、本底低(di)、結(jie)構(gou)簡(jian)單、低(di)本底測(ce)量(liang)儀操(cao)作(zuo)方(fang)便穩定(ding)可靠等特(te)點。低(di)本底測(ce)量(liang)儀可(ke)配任(ren)意(yi)型(xing)號的(de)計算(suan)機,系(xi)統的(de)數據(ju)收(shou)集(ji)和(he)處(chu)理、高壓及(ji)閾值的(de)調節、測(ce)量(liang)過(guo)程的(de)控(kong)制均由計(ji)算(suan)機完成(cheng)。測(ce)量(liang)程序(xu)漢化(hua),可(ke)在(zai)WinXP、Win2000下運(yun)行(xing),操作(zuo)過(guo)程有(you)中文(wen)提示(shi),自動(dong)完(wan)成(cheng)測(ce)量(liang)程序(xu)並打印(yin)結果(guo)。儀器(qi)經嚴(yan)格檢定(ding),低(di)本底測(ce)量(liang)儀全(quan)部性能(neng)指(zhi)標(biao)均達到(dao)國(guo)家(jia)規定(ding)的(de)Ⅱ級標(biao)準(zhun)(GB/T11682-2008)
            低(di)本底測(ce)量(liang)儀主(zhu)要技(ji)術指標(biao)
            1   儀(yi)器(qi)對於90Sr-90Yβ源(yuan)(活(huo)性區(qu)Φ20mm)的(de)2π探(tan)測(ce)效(xiao)率比(bi)≥50%時,
            本底≤0.15cm-2min-1;
            2   儀(yi)器(qi)對於239Puα源(yuan)(活(huo)性區(qu)Φ25mm)的(de)2π效(xiao)率比(bi)≥80%時,
            本底≤0.005cm-2min-1;
            3   α/β交叉(cha)性能(neng):α進(jin)入(ru)β道(dao)的(de)記數(shu)比<1%(對239Pu),
            β進入α道(dao)的(de)計數(shu)比<0.5%(對於90Sr-90Y);
            4   穩定(ding)性
            4.1  效(xiao)率穩定(ding)性:低(di)本底測(ce)量(liang)儀連(lian)續通電24小時,探(tan)測(ce)器(qi)效(xiao)率變(bian)化α<3%、
            β<5%;
            4.2  本底穩定(ding)性:在(zai)24小時的(de)測(ce)量(liang)時間內(nei),本底計(ji)數變(bian)化應在(zai)(Nb±3σ)的(de)範(fan)圍(wei)內(nei),其(qi)中Nb為(wei)本底計(ji)數的(de)平均值,σ為(wei)本底計(ji)數的(de)標(biao)準(zhun)誤(wu)差。
            5   耐(nai)壓絕緣度>1500V;
            6   絕緣電阻≥2MΩ;
           

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